參數(shù)資料
型號(hào)： MGP15N40CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Internally Clamped N-Channel IGBT
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： MGP15N40CL
MGP15N40CL, MGB15N40CL, MGC15N40CL
http://onsemi.com
4
2.5
2.0
0.0
–50
–25
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50
75
100
125
150
1.5
1.0
0.5
Tj = 25
°
C
45
IC
40
35
30
25
20
15
10
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2
3
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6
7
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45
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35
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20
15
10
5
00
1
2
3
4
5
6
7
8
30
25
20
15
10
5
00
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2.0
1.8
1.3
1.0
0.8
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
4.5
5
0.5
0.3
10000
1000
100
10
1
0
20
40
60
80
100
120
140 160
180
200
VC
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
IC
C
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.0 V
Tj = 150
°
C
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.0 V
VCE = 10 V
Tj = 150
°
C
Tj = 25
°
C
Tj = 40
°
C
VGE = 15 V
IC = 5 A
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
CRSS
CISS
COSS
Mean + 4
σ
Mean
IC = 1 mA
IC
T
IC = 15 A
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Tj, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TEMPERATURE (
°
C)
1.5
IC = 10 A
Mean – 4
σ
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Output Characteristics
Figure 3. Transfer Characteristics
Figure 4. Collector–to–Emitter Saturation Voltage
versus Junction Temperature
Figure 5. Capacitance Variation
Figure 6. Threshold Voltage versus Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGC15N40CL Internally Clamped N-Channel IGBT
MGB15N40CLT4 Internally Clamped N-Channel IGBT
MGP15N43CL Internally Clamped N-Channel IGBT
MGP7N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode
MGW14N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MGP15N43CL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Internally Clamped N-Channel IGBT
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