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參數資料
| 型號： | MGFK41V4045-01 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | MGFK41V4045-01 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MGFS45V2325 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS45V2527-01 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS48BK2122A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS52BN2122A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGFK44A4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK44A4045_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 25W |
| MGFL45V1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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