| 型號(hào): | MGF4917C-01 | 
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 | 
| 英文描述: | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | 
| 封裝: | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 8/12頁(yè) | 
| 文件大小: | 755K | 
| 代理商: | MGF4917C-01 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| MGFC4414D-03 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | 
| MGSF3441V | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 
| MGSF3442X | 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 
| MGSF3454VT1 | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| MGSF3454V | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| MGF4917D | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT | 
| MGF49180 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT | 
| MGF4918E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT | 
| MGF4919E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT | 
| MGF4919G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |