| 型號(hào): | MGF4917C-01 |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝: | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商: | MGF4917C-01 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC4414D-03 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MGSF3441V | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3442X | 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3454VT1 | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MGSF3454V | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGF4917D | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF49180 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF4918E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
| MGF4919E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
| MGF4919G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |