參數(shù)資料
型號： MGC15N40CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Internally Clamped N-Channel IGBT
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 100K
代理商： MGC15N40CL
MGP15N40CL, MGB15N40CL, MGC15N40CL
http://onsemi.com
4
2.5
2.0
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
1.5
1.0
0.5
Tj = 25
°
C
45
IC
40
35
30
25
20
15
10
5
00
1
2
3
4
5
6
7
8
45
40
35
30
25
20
15
10
5
00
1
2
3
4
5
6
7
8
30
25
20
15
10
5
00
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2.0
1.8
1.3
1.0
0.8
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
4.5
5
0.5
0.3
10000
1000
100
10
1
0
20
40
60
80
100
120
140 160
180
200
VC
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
IC
C
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.0 V
Tj = 150
°
C
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.0 V
VCE = 10 V
Tj = 150
°
C
Tj = 25
°
C
Tj = 40
°
C
VGE = 15 V
IC = 5 A
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
CRSS
CISS
COSS
Mean + 4
σ
Mean
IC = 1 mA
IC
T
IC = 15 A
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Tj, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TEMPERATURE (
°
C)
1.5
IC = 10 A
Mean – 4
σ
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Output Characteristics
Figure 3. Transfer Characteristics
Figure 4. Collector–to–Emitter Saturation Voltage
versus Junction Temperature
Figure 5. Capacitance Variation
Figure 6. Threshold Voltage versus Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB15N40CLT4 Internally Clamped N-Channel IGBT
MGP15N43CL Internally Clamped N-Channel IGBT
MGP7N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode
MGW14N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor
MH101 SEE A3242LLHLT-T
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGC30065001 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Audio
MGC30065203 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Audio
MGC30192101 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Rear
MGC30238901 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Front
MGC30240501 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Front
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