參數(shù)資料
型號(hào)： MGB15N38CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 380 Volts(15A，380V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT15安培，380伏特，（15A條，380v整機(jī)鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： MGB15N38CL
MGP15N38CL, MGB15N38CL
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 9:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TO–220 THREE–LEAD
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
---
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
---
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
---
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
---
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB15N40CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(15A，410V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGB19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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MGB15N40CLT4 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
MGB19N35CL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB20 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
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