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參數(shù)資料
| 型號： | MGB15N35CLT4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 15 A, 380 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE 418B-03, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | MGB15N35CLT4 |
MGP15N35CL, MGB15N35CL, MGC15N35CL
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220
CASE 221A–09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1 2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 9:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
0.13 (0.005)
–T–
M
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGP15N38CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N40CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGC15N40CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGB15N40CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N43CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGB15N40CL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK |
| MGB15N40CLT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| MGB19N35CL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK |
| MGB19N35CLT4 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK |
| MGB20 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP |
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