參數(shù)資料
型號： MGB15N35CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts(15A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點火IGBT15安培，350伏特，（第15A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： MGB15N35CL
MGP15N35CL, MGB15N35CL
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 3.)
Turn–Off Delay Time (Inductive)
td(off)
VCC = 300 V,
IC = 6.5 A
RG = 1 k
,
L = 300
μ
H
–
5.0
10
μ
Sec
Fall Time (Inductive)
tf
–
7.0
10
Turn–Off Delay Time (Resistive)
td(off)
VCC = 300 V,
IC = 6.5 A
RG = 1 k
,
RL = 46
,
VCC = 10 V,
IC = 6.5 A
RG = 1 k
,
RL = 1.5
–
5.0
10
μ
Sec
Fall Time (Resistive)
tf
–
13
20
Turn–On Delay Time
td(on)
–
1.0
1.5
μ
Sec
Rise Time
tr
–
4.5
6.0
3. Pulse Test: Pulse Width
300
μ
S, Duty Cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB15N38CL Ignition IGBT 15 Amps, 380 Volts(15A，380V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGB15N40CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(15A，410V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGB19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
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參數(shù)描述
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MGB19N35CL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
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