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參數(shù)資料
| 型號： | MG75Q2YS50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-94D4A, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG75Q2YS50 |
MG75Q2YS50
2001-04-20
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75Q2YS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed :
tf = 0.3 s (Max)
@Iinductive load
Low saturation voltage
:
VCE (sat) = 3.6 V (Max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package
The electrodes are Isolated from case
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
100 / 75
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
200 / 150
A
DC
IF
75
Forward current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
600
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-94D4A
Weight: 202g
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS51 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG90V2YS40 | 90 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MGA-86563-BLK | 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| MGA-86563-TR1 | 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| MGB15N43CLT4 | 15 A, 460 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS51 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS52 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG78 | 制造商:Defender Security 功能描述:Portable Motion Alarm |
| MG780 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Precision High Voltage Resistors |
| MG780-10M | 功能描述:厚膜電阻器 - 透孔 10M ohm 7.5W 15kV RoHS:否 制造商:Caddock 電阻:27 kOhms 容差:1 % 功率額定值:8 W 溫度系數(shù):50 PPM / C 系列:MS 端接類型:Axial 電壓額定值:2 kV 工作溫度范圍:- 15 C to + 275 C 尺寸:8.89 mm Dia. x 23.11 mm L 封裝:Bulk |
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