參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US51
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 305K
代理商： MG600Q1US51
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US61 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600J1US51 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG600Q1US59A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG601 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES
MG61D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE
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