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參數(shù)資料
| 型號： | MG300Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | MG300Q2YS65H |
MG300Q2YS65H
2003-03-11
5
T
R
t
C
C
Charge Q
G
(nC)
V
CE
, V
GE
– Q
G
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C – V
CE
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Short circuit SOA
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse bias SOA
Pulse width t
w
(s)
R
th (t)
– t
w
0
3
6
0
400
1400
200
800
1200
VCC
900 V
Tj
125°C
tw 5 s
5
4
2
1
600
1000
G
G
100
0.01
10000
100000
1
100
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE 0
f 1 MHz
Tc 25°C
1000
0.1
10
0.1
1
1000
0
500
1500
Tj
VGE 15 V
RG 2.7
125°C
100
1000
10
0.001
0.001
0.1
1
0.1
10
Diode stage
Transistor stage
Tc 25°C
0.01
0.01
1
0
0
800
1600
1200
3000
Common emitter
RL 2
Tc 25°C
400
1200
600
2400
1800
8
16
4
12
VCE 0 V
600 V
400 V
200 V
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30G6EL2 | TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| MG400J1US51 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG400J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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