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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG300Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | MG300Q2YS65H |
MG300Q2YS65H
2003-03-11
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
I
C
– V
GE
C
C
Forward voltage V
F
(V)
I
F
– V
F
F
F
12 V
0
0
150
300
450
600
2
4
6
8
10
Common emitter
Tc 25°C
VGE 8 V
PC 2700 W
10 V
20 V
18 V
15 V
0
0
150
300
450
600
2
4
6
8
10
VGE 8 V
10 V
12 V
20 V
18 V
15 V
Common emitter
Tc 125°C
0
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc 25°C
IC 600 A
150 A
300 A
0
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc 125°C
IC 600 A
150 A
300 A
0
0
150
300
450
600
4
8
12
16
Common emitter
VCE 5 V
Tc 125°C
40°C
25°C
0
0
100
300
500
600
1
2
3
4
Tc 125°C
25°C
Common cathode
VGE 0
200
400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30G6EL2 | TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| MG400J1US51 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG400J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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