參數(shù)資料
型號(hào)： MG200Q2YS50
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
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代理商： MG200Q2YS50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG200Q2YS65H IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG240V1US41 Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
MG25Q1BS11 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG25Q6ES42 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG25Q6ES51A Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG200Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 200A RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG200Q2YS65H 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG2029 制造商:BOURNS 制造商全稱(chēng):Bourns Electronic Solutions 功能描述:High Impedance Chip Ferrite Beads
MG2029_12 制造商:BOURNS 制造商全稱(chēng):Bourns Electronic Solutions 功能描述:High Impedance Chip Ferrite Beads
MG2029-100Y 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 10ohms Impedance@100MHz RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類(lèi)型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
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