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參數(shù)資料
| 型號： | MG200Q2YS40 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | MG200Q2YS40 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q2YS65H | IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG240V1US41 | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes |
| MG25Q1BS11 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG25Q6ES42 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200Q2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG200Q2YS65H | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG2029 | 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:High Impedance Chip Ferrite Beads |
| MG2029_12 | 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:High Impedance Chip Ferrite Beads |
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