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參數(shù)資料
| 型號： | MG150J7KS50 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | MG150J7KS50 |
MG150J7KS50
2001-08-16
3
Brake Stage
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
600
V
Gate-emitter voltage
V
GES
±20
V
Reverse voltage
V
R
600
V
DC
I
C
50
Collector current
1ms
I
CP
100
A
DC
I
F
50
Forward current
1ms
I
FM
100
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
P
C
120
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
V
Isol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
N·m
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
UNIT
Gate leakage current
I
GES
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
―
―
±500
nA
Collector-emitter cut-off current
I
CES
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V
―
―
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
V
GE (off)
V
CE
= 5V, I
C
= 5mA,
5.0
―
8.0
V
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 50A, V
GE
= 15V
―
2.0
2.5
V
Input capacitance
C
ies
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V, f = 1MHz
―
4.0
―
nF
Reverse current
I
R
V
R
= 600V
―
―
1.0
mA
Forward voltage
V
F
I
F
= 150A
―
2.2
2.8
V
Rise time
t
r
―
0.08
0.16
Turn-on time
t
on
―
0.10
0.20
Fall time
t
f
―
0.22
0.44
Turn-off time
t
off
―
0.50
1.00
Switching time
Reverse recovery time
trr
Inductive load
V
CC
= 300V
I
C
= 50A
V
GE
= ±15V
R
G
= 24
(Note 1)
―
0.23
0.35
μs
Transistor stage
―
―
1.04
R
th (j-c)
Diode stage
―
―
2.00
Thermal resistance
R
th (c-f)
Case to fin
(Note 2)
―
0.05
―
°C / W
Note 2: Silicone grease is applied.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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