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參數(shù)資料
| 型號： | MCR8SN |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管) |
| 中文描述： | 8 A, 800 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | MCR8SN |
MCR8SD, MCR8SM, MCR8SN
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient
R
JC
R
JA
2.2
62.5
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current (Note 3)
(V
D
= Rated V
DRM
and V
RRM
; R
GK
= 1 k )
T
J
= 25
°
C
T
J
= 110
°
C
I
DRM
,
I
RRM
10
500
A
ON CHARACTERISTICS
Peak Forward OnState Voltage (Note 2)
(I
TM
= 16 A)
V
TM
1.8
V
Gate Trigger Current (Continuous dc) (Note 4)
(V
D
= 12 V; R
L
= 100 )
I
GT
5.0
25
200
A
Holding Current (Note 4)
(V
D
= 12 V, Gate Open, Initiating Current = 200 mA)
I
H
0.5
6.0
mA
Latch Current (Note 4)
(V
D
= 12 V, I
G
= 200 A)
I
L
0.6
8.0
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc) (Note 4)
(V
D
= 12 V; R
L
= 100 )
T
J
= 25
°
C
T
J
=
40
°
C
V
GT
0.3
0.65
1.0
1.5
V
Gate NonTrigger Voltage
(V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
T
J
= 110
°
C
V
GD
0.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of OffState Voltage
(V
D
= 67% V
DRM
, R
GK
= 1 K , C
GK
= 0.1 F, T
J
= 110
°
C)
dv/dt
5.0
15
V/ s
Critical Rate of Rise of OnState Current
IPK = 50 A, Pw = 40 sec, diG/dt = 1 A/ sec, Igt = 10 mA
di/dt
100
A/ s
2. Indicates Pulse Test: Pulse Width
3. R
= 1000 Ohms included in measurement.
4. Does not include R
GK
in measurement.
2.0 ms, Duty Cycle
2%.
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參數(shù)描述 |
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