參數(shù)資料
型號： MCR8SM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
中文描述： 8 A, 600 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： MCR8SM
MCR8SD, MCR8SM, MCR8SN
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
180
°
120
°
120
°
90
°
Figure 1. Typical RMS Current Derating
Figure 2. OnState Power Dissipation
Figure 3. Typical OnState Characteristics
Figure 4. Typical Gate Trigger Current versus
Junction Temperature
8
0
I
T(RMS)
, RMS ONSTATE CURRENT (AMPS)
110
I
T(AV)
, AVERAGE ONSTATE CURRENT (AMPS)
3
8
0
3
0
3.5
0.5
V
T
, INSTANTANEOUS ONSTATE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
1
0.1
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
40
100
10
0
2.5
T
P
I
G
105
95
1
2
3
1
2
6
15
1.0
2.0
20
50
80
110
°
,
(
T
dc
90
°
60
°
dc
30
°
TYPICAL @ T
J
= 25
°
C
MAXIMUM @ T
J
= 110
°
C
5
1.5
4
5
80
4
75
85
6
7
9
6
7
30
°
12
5
35
65
95
25
20
30
40
50
60
70
80
90
180
°
60
°
3.0
MAXIMUM @ T
J
= 25
°
C
90
100
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PDF描述
MCR8SN Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
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參數(shù)描述
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MCR8SNG 功能描述:SCR 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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