參數(shù)資料
型號(hào)： MCR8SD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
中文描述： 8 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： MCR8SD
MCR8SD, MCR8SM, MCR8SN
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient
R
JC
R
JA
2.2
62.5
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current (Note 3)
(V
D
= Rated V
DRM
and V
RRM
; R
GK
= 1 k )
T
J
= 25
°
C
T
J
= 110
°
C
I
DRM
,
I
RRM
10
500
A
ON CHARACTERISTICS
Peak Forward OnState Voltage (Note 2)
(I
TM
= 16 A)
V
TM
1.8
V
Gate Trigger Current (Continuous dc) (Note 4)
(V
D
= 12 V; R
L
= 100 )
I
GT
5.0
25
200
A
Holding Current (Note 4)
(V
D
= 12 V, Gate Open, Initiating Current = 200 mA)
I
H
0.5
6.0
mA
Latch Current (Note 4)
(V
D
= 12 V, I
G
= 200 A)
I
L
0.6
8.0
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc) (Note 4)
(V
D
= 12 V; R
L
= 100 )
T
J
= 25
°
C
T
J
=
40
°
C
V
GT
0.3
0.65
1.0
1.5
V
Gate NonTrigger Voltage
(V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
T
J
= 110
°
C
V
GD
0.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of OffState Voltage
(V
D
= 67% V
DRM
, R
GK
= 1 K , C
GK
= 0.1 F, T
J
= 110
°
C)
dv/dt
5.0
15
V/ s
Critical Rate of Rise of OnState Current
IPK = 50 A, Pw = 40 sec, diG/dt = 1 A/ sec, Igt = 10 mA
di/dt
100
A/ s
2. Indicates Pulse Test: Pulse Width
3. R
= 1000 Ohms included in measurement.
4. Does not include R
GK
in measurement.
2.0 ms, Duty Cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCR8SM Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCR8SN Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCRF202 125 kHz Passive RFID Device with Sensor Input
MCRF355 CONNECTEUR
MCRF360 CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCR8SDG 功能描述:SCR 400V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR8SM 功能描述:SCR 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR8SMG 功能描述:SCR 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR8SN 功能描述:SCR 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR8SNG 功能描述:SCR 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*