參數(shù)資料
型號： MCR8DSM
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 8 A, 600 V, SCR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： MCR8DSM
4
Motorola Thyristor Device Data
Figure 7. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 8. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
Figure 9. Holding Current versus
Gate–Cathode Resistance
65
110
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1000
10 K
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
10
6.0
4.0
2.0
0
I
I
L
I
H
1.0
0.1
–25
5.0
20
50
95
,
10
TJ = 25
°
C
–10
35
80
Figure 10. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Junction
Temperature
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
S
TJ = 110
°
C
1000
IGT = 10 A
RGK = 1.0 K
65
110
–40
1.0
0.1
–25
5.0
20
50
95
10
–10
35
80
RGK = 1.0 K
Figure 11. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Peak Voltage
S
Figure 12. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Gate Trigger
Current Sensitivity
8.0
IGT = 25 A
,
100
90
°
C
70
°
C
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
TJ = 110
°
C
1000
100
VPK = 800 V
600 V
400 V
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
VD = 800 V
TJ = 110
°
C
1000
100
IGT = 10 A
S
IGT = 25 A
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PDF描述
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