參數(shù)資料
型號： MCR8DCN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers( 可控硅整流器)
中文描述： 硅（可控硅整流器控制整流器）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 60K
代理商： MCR8DCN
MCR8DCM, MCR8DCN
http://onsemi.com
4
65
125
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1000
10 K
10
R
GK
, GATECATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
100
IH
I
L
10
1.0
25
5.0
20
50
95
,
100
V
D
= 800 V
T
J
= 125
°
C
10
35
80
110
65
125
40
10
1.0
25
5.0
20
50
95
100
10
35
80
110
S
100
Figure 5. Typical Gate Trigger Current versus
Junction Temperature
Figure 6. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
25
20
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
100
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
65
40
0.2
20
5.0
,
IG
50
110
65
5.0
125
35
50
VG
80
1.0
0.9
10
35
95
10
95
80
125
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
110
Figure 7. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 8. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
Figure 9. Exponential Static dv/dt versus
GateCathode Resistance
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MCR8DSMT4G 功能描述:SCR 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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