參數(shù)資料
型號(hào): MCR12DSN
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
中文描述: 敏感柵硅(可控硅整流管控整流器)
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 73K
代理商: MCR12DSN
MCR12DSM, MCR12DSN
http://onsemi.com
4
Figure 3. OnState Characteristics
Figure 4. Transient Thermal Response
Figure 5. Typical Gate Trigger Current versus
Junction Temperature
Figure 6. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
5.0
0
V
T
, INSTANTANEOUS ONSTATE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
1.0
0.1
t, TIME (ms)
1.0
0.1
1.0
0.1
0.01
4.0
25
20
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1000
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
65
40
0.1
20
5.0
I
T
r(
1.0
3.0
10
100
1000
10 K
,
IG
50
110
65
5.0
110
35
50
VG
,
80
TYPICAL @ T
J
= 25
°
C
MAXIMUM @ T
J
= 25
°
C
MAXIMUM @ T
J
= 110
°
C
Z
JC(t)
= R
JC(t)
r(t)
1.0
1.0
2.0
10
35
95
100
10
95
80
(
GATE OPEN
R
GK
= 1.0 K
Figure 7. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 8. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
65
110
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
IH
I
L
1.0
0.1
25
5.0
20
50
95
,
10
10
35
80
R
GK
= 1.0 K
65
110
40
1.0
0.1
25
5.0
20
50
95
10
10
35
80
R
GK
= 1.0 K
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MCR12DSN-001G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
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MCR12DSNT4 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DSNT4G 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube