參數(shù)資料
型號(hào)： MCR12DSM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
中文描述： 敏感柵硅（可控硅整流管控整流器）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 73K
代理商： MCR12DSM
MCR12DSM, MCR12DSN
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
180
°
90
°
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. OnState Power Dissipation
8.0
0
I
T(AV)
, AVERAGE ONSTATE CURRENT (AMPS)
110
105
100
I
T(AV)
, AVERAGE ONSTATE CURRENT (AMPS)
3.0
8.0
0
8.0
4.0
2.0
0
TC
P
95
85
1.0
2.0
3.0
1.0
2.0
6.0
10
16
°
,
(
dc
180
°
120
°
90
°
60
°
= 30
°
dc
120
°
60
°
= 30
°
5.0
4.0
5.0
90
4.0
= Conduction
Angle
= Conduction
Angle
80
70
75
6.0
7.0
12
14
6.0
7.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCR12DSN Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCR12LD Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCR12LM Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCR12LN Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管)
MCR12 Silicon Controlled Rectifiers( 可控硅整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCR12DSMT4 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DSMT4G 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DSN 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DSN-001 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DSN-001G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*