參數(shù)資料
型號： MCR12
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers( 可控硅整流器)
中文描述： 硅（可控硅整流器控制整流器）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： MCR12
MCR12D, MCR12M, MCR12N
http://onsemi.com
3
Figure 3. Typical OnState Characteristics
Figure 4. Typical Gate Trigger Current versus
Junction Temperature
3.0
0.5
V
T
, INSTANTANEOUS ONSTATE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
1
0.1
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
40
20
2
0
2.5
I
T
G
1.0
2.0
20
50
80
125
,
MAXIMUM @ T
J
= 25
°
C
MAXIMUM @ T
J
= 125
°
C
1.5
5
35
65
95
25
110
4
6
8
10
12
14
16
18
Figure 5. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 6. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
25
20
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
65
40
0.2
20
5
,
I
50
110
65
5
125
35
50
VG
80
1
1.0
10
35
95
100
10
95
80
125
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
110
Figure 7. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
65
125
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
IL
10
1
25
5
20
50
95
100
10
35
80
110
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MCR-12A 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:
MCR12D 功能描述:SCR 400V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DCM 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
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