參數(shù)資料
型號： MC74HC125AFR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 總線收發(fā)器
英文描述： HC/UH SERIES, QUAD 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDSO14
封裝： EIAJ, SO-14
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： MC74HC125AFR2
MC74HC125A, MC74HC126A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
Unit
VIH
Minimum HighLevel Input Voltage
Vout = VCC – 0.1 V
|Iout| v 20 mA
2.0
3.0
4.5
6.0
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
V
VIL
Maximum LowLevel Input Voltage
Vout = 0.1 V
|Iout| v 20 mA
2.0
3.0
4.5
6.0
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
V
VOH
Minimum HighLevel Output
Voltage
Vin = VIH
|Iout| v 20 mA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
Vin = VIH
|Iout| v 3.6 mA
|Iout| v 6.0 mA
|Iout| v 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.2
3.7
5.2
VOL
Maximum LowLevel Output
Voltage
Vin = VIL
|Iout| v 20 mA
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
V
Vin = VIL
|Iout| v 3.6 mA
|Iout| v 6.0 mA
|Iout| v 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.33
0.4
Iin
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
± 1.0
mA
IOZ
Maximum ThreeState Leakage
Current
Output in HighImpedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0
± 0.5
± 5.0
± 10
mA
ICC
Maximum Quiescent Supply Current
(per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 mA
6.0
4.0
40
160
mA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor HighSpeed CMOS Data Book (DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Symbol
Parameter
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
90
36
18
15
115
45
23
20
135
60
27
23
ns
tPLZ,
tPHZ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
120
45
24
20
150
60
30
26
180
80
36
31
ns
tPZL,
tPZH
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
90
36
18
15
115
45
23
20
135
60
27
23
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
60
22
12
10
75
28
15
13
90
34
18
15
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
10
10
10
pF
Cout
Maximum 3State Output Capacitance (Output in HighImpedance State)
15
15
15
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor HighSpeed CMOS Data Book (DL129/D).
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
30
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor HighSpeed CMOS Data Book (DL129/D).
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