參數(shù)資料
型號: MC33151D
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: MOSFETs
英文描述: High Speed Dual MOSFET Drivers
中文描述: 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝: SOIC-8
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 284K
代理商: MC33151D
MC34151, MC33151
http://onsemi.com
9
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP–8
P SUFFIX
CASE 626–05
ISSUE K
NOTES:
1. DIMENSION L TO CENTER OF LEAD WHEN
FORMED PARALLEL.
2. PACKAGE CONTOUR OPTIONAL (ROUND OR
SQUARE CORNERS).
3. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
1
4
5
8
F
NOTE 2
–A–
–B–
–T–
SEATING
PLANE
H
J
G
D
K
N
C
L
M
M
A
M
0.13 (0.005)
B
M
T
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
MIN
9.40
6.10
3.94
0.38
1.02
2.54 BSC
0.76
0.20
2.92
7.62 BSC
–––
0.76
MAX
10.16
6.60
4.45
0.51
1.78
MIN
0.370
0.240
0.155
0.015
0.040
0.100 BSC
0.030
0.008
0.115
0.300 BSC
–––
0.030
MAX
0.400
0.260
0.175
0.020
0.070
INCHES
MILLIMETERS
1.27
0.30
3.43
0.050
0.012
0.135
10
1.01
10
0.040
SO–8
D SUFFIX
CASE 751–06
ISSUE T
SEATING
1
4
5
8
A
0.25
M
C B
S
S
0.25
M
B
M
h
C
X 45
L
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
MIN
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
MAX
1.75
0.25
0.49
0.25
5.00
4.00
MILLIMETERS
1.27 BSC
5.80
0.25
6.20
0.50
0
7
0.40
1.25
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M 1994.
2. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETER.
3. DIMENSION D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUMMOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 TOTAL IN EXCESS
OF THE B DIMENSION AT MAXIMUMMATERIAL
CONDITION.
D
E
H
A
B
e
B
A1
C
A
0.10
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MC33151P 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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