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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC-4R256FKE8S |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) |
| 中文描述： | 直接Rambus公司的DRAM的SO - RIMM的模塊256M字節(jié)（128M的字× 18位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | MC-4R256FKE8S |
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Data Sheet
E0138N30 (Ver. 3.0)
10
MC-4R256FKE8S
SO-RIMM Module Current Profile
I
DD
RIMM module power conditions
Note1
MAX.
Unit
I
DD1
One RDRAM in Read
Note2
, balance in NAP mode
-845
729.4
mA
I
DD2
One RDRAM in Read
Note2
, balance in Standby mode
-845
1330
mA
I
DD3
One RDRAM in Read
Note2
, balance in Active mode
-845
1645
mA
I
DD4
One RDRAM in Write, balance in NAP mode
-845
749.4
mA
I
DD5
One RDRAM in Write, balance in Standby mode
-845
1350
mA
I
DD6
One RDRAM in Write, balance in Active mode
-845
1665
mA
Notes 1.
Actual power will depend on individual RDRAM component specifications, memory controller and usage
patterns. Power does not include Refresh Current.
2.
I/O current is a function of the
% of 1’s, to add I/O power for 50 % 1’s for a x16 need to add 257 mA or 290
mA for x18 ECC module for the following :
V
DD
= 2.5 V, V
TERM
= 1.8 V, V
REF
= 1.4 V and V
DIL
= V
REF
0.5 V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC-4R256FKE8S-845 | Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) |
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| MC-4R256FKK8K-840 | 256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module |
| MC-4R512FKE6D-840 | Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC-4R256FKE8S-840 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) |
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| MC-4R256FKK6K | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module |
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