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參數(shù)資料
| 型號： | MC-428LFG641 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的DRAM模塊) |
| 中文描述： | 3.3 V工作電壓800萬字由72位動態(tài)內(nèi)存模塊（工作電壓為3.3伏的內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 22/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | MC-428LFG641 |
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22
MC-428LFG641
Hyper Page Mode (EDO) Late Write Cycle
/RAS
Address
/WE
Col.
Col.
Col.
Row
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Data in
Data in
Data in
/OE
RASP
t
RHCP
t
RP
t
CPN
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
t
HPC
t
CP
t
CP
t
CSH
t
HCAS
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
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RAD
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CAH
t
CAH
t
ASC
t
RAL
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CAH
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WP
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RWL
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OEH
t
OEH
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t
DS
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DH
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OED
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DS
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OED
t
DS
t
DH
t
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
ASC
t
ASC
t
/CAS
DQ
Remark
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of the
consecutive /CAS cycles within the same /RAS cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC-428LFH641 | 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的DRAM模塊) |
| MC-42S4LFG64S | 3.3 V Operation 16M-Word By 65-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動態(tài)RAM模塊) |
| MC-42S8LFF64S | 3.3 V Operation 16M-Word By 65-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.4V的DRAM模塊) |
| MC-42S8LFG64S | 8 M-Word By 64-Bit Synchronous Dynamic RAM Module(同步動態(tài)RAM 模塊) |
| MC-4516CA726EF-A10 | 16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MC4312F | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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