型號: | MBT3904DW2T1G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Dual General Purpose Transistors |
中文描述: | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大小: | 105K |
代理商: | MBT3904DW2T1G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MBT3904DW1T3 | Dual General Purpose Transistors(雙NPN通用晶體管) |
MBT3904DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
MBT3946DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
MBT3946DW1T1 | Dual General Purpose Transistor |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MBT3904-TF | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:3904-TF |
MBT3906DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon |
MBT3906DW1T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MBT3906DW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MBT3906DW1T1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor |