參數(shù)資料
型號： MBT3904DW2T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： MBT3904DW2T1G
MBT3904DW1T1, MBT3904DW2T1
http://onsemi.com
4
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
Q
T
Q
A
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 5. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
Figure 6. Rise Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
t
r
Figure 7. Storage Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Fall Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
50
100
200
300
500
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
t
f
t
s
′
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
40 V
15 V
2.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
t
′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
=
I
B2
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PDF描述
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