參數(shù)資料
型號： MBT3904DW1T2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 30/30頁
文件大?。?/td> 471K
代理商： MBT3904DW1T2
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
2–294
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL AUDIO SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 25.
f, FREQUENCY (kHz)
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
0.1
Figure 26.
Rg, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
0
N
F,
NOISE
F
IGU
RE
(
dB)
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1.0 kHz
IC = 1.0 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 50 mA
MBT3906DW1T1 (PNP)
h PARAMETERS
(VCE = –10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C)
Figure 27. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 28. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
,D
C
U
RRENT
G
AIN
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
Figure 29. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 30. Voltage Feedback Ratio
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
oe
h
,INP
U
T
IMPE
D
ANCE
(k
O
H
MS)
ie
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
7
5
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
fe
m
70
30
0.7
7.0
0.7
7.0
3.0
0.7
0.3
0.7
7.0
0.7
7.0
h
,
VOL
T
AGE
FEEDBACK
RA
TIO
(x
10
)
re
–4
MBT3906DW1T1 (PNP)
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PDF描述
MBT3906DW1T3 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
MC141555P1 UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
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參數(shù)描述
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MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW2T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW2T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904-TF 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:3904-TF
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