參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3904DW1T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 雙通用晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 105K
代理商： MBT3904DW1T1
MBT3904DW1T1, MBT3904DW2T1
http://onsemi.com
3
SWITCHING CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Delay Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, V
BE
= 0.5 Vdc)
t
d
35
ns
Rise Time
(I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
r
35
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
t
s
200
ns
Fall Time
(I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
t
f
50
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
C
s
< 4 pF*
+3 V
275
10 k
C
s
< 4 pF*
< 1 ns
0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
9.1 V
′
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3946DW1T1 Dual General Purpose Transistors
MBT3946DW1T1 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T1G Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2G Dual General Purpose Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT3904DW1T1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW2T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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