參數(shù)資料
型號(hào)： MBT35200
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 繼電器，輸入/輸出模塊
英文描述： 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
中文描述： 高電流表面貼裝進(jìn)步黨硅晶體管的負(fù)荷開(kāi)關(guān)在便攜式應(yīng)用管理
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： MBT35200
MBT35200MT1
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318G–02
ISSUE G
STYLE 6:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.55
10
3.00
MIN
0.1142
0.0512
0.0354
0.0098
0.0335
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
MAX
0.1220
0.0669
0.0433
0.0197
0.0413
0.0040
0.0102
0.0236
0.0610
10
0.1181
INCHES
MILLIMETERS
0
0
0.0985
2.50
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
M
J
K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistors
MC100EP16TDT 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination
MC100EP16VC 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT35200MT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT35200MT1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MBT35200MT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT35200MT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT35200MT2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*