| 型號: | MBT2222ADW | 
| 廠商: | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. | 
| 英文描述: | Dual General Purpose Transistors | 
| 中文描述: | 雙通用晶體管 | 
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 | 
| 文件大?。?/td> | 349K | 
| 代理商: | MBT2222ADW | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| MBT2907ADW | Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon | 
| MBT3904DW | Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon | 
| MC2831 | FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE | 
| MC2832 | FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE | 
| MC2835 | FOR GENERAL SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE(SERIES TYPE) | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| MBT2222ADW1T | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: | 
| MBT2222ADW1T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| MBT2222ADW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| MBT22N | 制造商:APEM 功能描述: | 
| MBT23N | 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide DP3T Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole |