參數(shù)資料
型號(hào)： MBD110DWT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual Schottky Barrier Diodes(雙肖特基勢(shì)壘二極管)
中文描述： SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
封裝： CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： MBD110DWT1
MBD110DWT1, MBD330DWT1, MBD770DWT1
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD330DWT1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Total Capacitance
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 7. Minority Carrier Lifetime
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Reverse Leakage
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Forward Voltage
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
,
IF
,
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
6.0
12
18
24
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
500
0
80
100
0
3.0
6.0
9.0
12
15
21
2.8
30
24
27
18
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0
100
10
1.0
0.1
30
10
30
50
70
90
400
300
200
100
0.4
,
,
CT
T
A
= 40
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 100
°
C
T
A
= 75
°
C
T
A
= 25
°
C
MBD330DWT1
MBD330DWT1
MBD330DWT1
MBD330DWT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBD330DWT1 Dual Schottky Barrier Diodes(雙肖特基勢(shì)壘二極管)
MBD701 Silicon Hot-Carrier Diodes(硅熱載二極管)
MBR0520LT1 Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(0.5A,20V表貼型肖特基勢(shì)壘功率整流器)
MBR0520LT3 Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(0.5A,20V表貼型肖特基勢(shì)壘功率整流器)
MBR0530T1 Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(0.5A,30V表貼型肖特基勢(shì)壘功率整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBD110DWT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G_12 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD14 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4" TFX RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
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