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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F016B3B150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 41/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 408K |
| 代理商： | TE28F016B3B150 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
41
PRELIMINARY
Table 16. AC Characteristics: Write Operations (Extended Temperature)
1
Load
50 pF
#
Symbol
Parameter
V
CC
2.7V
–3.6V
5
2.7V-3.6V
5
Units
Prod
120 ns
150 ns
Notes
Min
Max
Min
Max
W1
t
PHWL
t
PHEL
RP# High Recovery to
WE# (CE#) Going Low
600
600
ns
W2
t
ELWL
t
WLEL
CE# (WE#) Setup to
WE# (CE#) Going Low
0
0
ns
W3
t
WLWH
t
ELEH
WE# (CE#) Pulse Width
90
90
ns
W4
t
DVWH
t
DVEH
Data Setup to WE#
(CE#) Going High
3
70
70
ns
W5
t
AVWH
t
AVEH
Address Setup to WE#
(CE#) Going High
2
90
90
ns
W6
t
WHEH
t
EHWH
CE# (WE#) Hold Time
from WE# (CE#) High
0
0
ns
W7
t
WHDX
t
EHDX
Data Hold Time from
WE# (CE#) High
3
0
0
ns
W8
t
WHAX
t
EHAX
Address Hold Time from
WE# (CE#) High
2
0
0
ns
W9
t
WHWL
t
EHEL
WE# (CE#) Pulse Width
High
30
30
ns
W10
t
VPWH
t
VPEH
V
Setup to WE# (CE#)
Going High
4
200
200
ns
W11
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid SRD
4
0
0
ns
t
LOCK
Block Unlock / Lock
Delay
4, 6
200
200
ns
NOTES:
1.
Read timing characteristics during program suspend and erase suspend are the same as during read-only operations.
Refer to AC Characteristics during read mode.
Refer to command definition table for valid A
IN
(Table6).
Refer to command definition table for valid D
IN
(Table 6).
Sampled, but not 100% tested.
See Test Configuration (Figure 11 and 13),
2.7V
–3.6V and 1.8V–2.2V Standard Test component values.
Time t
LOCK
is required for successful locking and unlocking of all lockable blocks.
2.
3.
4.
5.
6.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F016B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TEA0652 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
| TEA0654 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
| TEA1017 | 13 BIT SERIES PARALLEL CONVERTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F016B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F016B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F016B3T110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3T120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
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