參數(shù)資料
型號(hào)： MAC212A6FP
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： Isolated Triac Silicon Bidirectional Thyristor(12A，400V,三端雙向可控硅晶閘管)
中文描述： 400 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
封裝： PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 132K
代理商： MAC212A6FP
MAC212A6FP, MAC212A8FP, MAC212A10FP
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
TL
2.1
°
C/W
Thermal Resistance, Case to Sink
2.2 (typ)
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
60
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted; Electricals apply in both directions)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Blocking Current
(VD = Rated VDRM, VRRM; Gate Open)
TJ = 25
°
C
TJ = +125
°
C
IDRM,
IRRM
—
—
—
—
10
2.0
μ
A
mA
ON CHARACTERISTICS
Peak On-State Voltage
(ITM =
17 A Peak; Pulse Width = 1 to 2 ms, Duty Cycle
2%)
VTM
—
1.3
1.75
Volts
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
MT2(–), G(+)
IGT
—
—
—
—
12
12
20
35
50
50
50
75
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
MT2(–), G(+)
VGT
—
—
—
—
0.9
0.9
1.1
1.4
2.0
2.0
2.0
2.5
Volts
Gate Non–Trigger Voltage (Continuous dc)
(Main Terminal Voltage = 12 V, RL = 100
, TJ = +125
°
C)
All Four Quadrants
VGD
0.2
—
—
Volts
Holding Current
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, Gate Open,
Initiating Current =
200 mA)
IH
—
6.0
50
mA
Turn-On Time
(VD = Rated VDRM, ITM = 17 A, IGT = 120 mA,
Rise Time = 0.1
μ
s, Pulse Width = 2
μ
s)
tgt
—
1.5
—
μ
s
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of Commutation Voltage
(VD = Rated VDRM, ITM = 17 A, Commutating di/dt = 6.1 A/ms,
Gate Unenergized, TC = +85
°
C)
dv/dt(c)
—
5.0
—
V/
μ
s
Critical Rate of Rise of Off–State Voltage
(VD = Rated VDRM, Exponential Voltage Rise, Gate Open,
TC = +85
°
C)
dv/dt
—
100
—
V/
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAC212A8FP Isolated Triac Silicon Bidirectional Thyristor(12A，600V,三端雙向可控硅晶閘管)
MAC212A10 Triacs(三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)元件)
MAC223A10 Triac (Silicon Bidirectional Thyristor)(導(dǎo)通電流25A,重復(fù)截止峰值電壓800V的雙向可控硅)
MAC223A6 Triac (Silicon Bidirectional Thyristor)(導(dǎo)通電流25A,重復(fù)截止峰值電壓400V的雙向可控硅)
MAC223A8 Triac (Silicon Bidirectional Thyristor)(導(dǎo)通電流25A,重復(fù)截止峰值電壓600V的雙向可控硅)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MAC212A8 功能描述:THYRISTOR TRIAC 12A 600V T0220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 三端雙向可控硅開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)類(lèi)型:邏輯 - 靈敏柵極 電壓 - 斷路:800V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:6A 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:1.5V 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):* 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:10mA 電流 - 維持(Ih):25mA 配置:單一 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商設(shè)備封裝:* 包裝:* 其它名稱(chēng):568-9616-6
MAC212A8D 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC212A8DG 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC212A8FP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MAC212A8G 功能描述:雙向可控硅 THY 12A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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