參數(shù)資料
型號： MAC15M
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Bidirectional Thyristor(15A，600V三端雙向可控硅晶閘管)
中文描述： 600 V, 15 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 133K
代理商： MAC15M
MAC15M, MAC15N
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
Characteristic
Value
Unit
R
θ
JC
R
θ
JA
TL
Thermal Resistance — Junction to Case
Thermal Resistance
— Junction to Ambient
2.0
62.5
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted; Electricals apply in both directions)
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
IDRM,
IRRM
Peak Repetitive Blocking Current
(VD = Rated VDRM, VRRM; Gate Open)
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
—
—
—
—
0.01
2.0
mA
ON CHARACTERISTICS
Peak On-State Voltage(1)
(ITM =
±
21 A Peak)
VTM
—
1.2
1.6
Volts
IGT
Gate Trigger Current (Continuous DC) (VD = 12 V, RL = 100
)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
5.0
5.0
5.0
13
16
18
35
35
35
mA
IH
Hold Current
(VD = 12 Vdc, Gate Open, Initiating Current =
±
150 mA)
—
20
40
mA
IL
Latching Current (VD = 24 V, IG = 35 mA)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
—
—
—
33
36
33
50
80
50
mA
VGT
Gate Trigger Voltage (VD = 12 V, RL = 100
)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
0.5
0.5
0.5
0.75
0.72
0.82
1.5
1.5
1.5
Volts
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(di/dt)c
Rate of Change of Commutating Current; See Figure 10.
(VD = 400 V, ITM = 6.0 A, Commutating dv/dt = 24 V/
μ
s,
Gate Open, TJ = 125
°
C, f = 250 Hz, No Snubber)
CL = 10
μ
F
LL = 40 mH
9.0
—
—
A/ms
dv/dt
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
(VD = Rated VDRM, Exponential Waveform, Gate Open, TJ = 125
°
C)
(1) Pulse Test: Pulse Width
≤
2.0 ms, Duty Cycle
≤
2%.
250
—
—
V/
μ
s
相關PDF資料
PDF描述
MAC15N Silicon Bidirectional Thyristor(15A，800V三端雙向可控硅晶閘管)
MAC15SD Silicon Bidirectional Thyristor(15A，400V敏感門三端雙向可控硅晶閘管)
MAC15SM Silicon Bidirectional Thyristor(15A，600V敏感門三端雙向可控硅晶閘管)
MAC15SN Silicon Bidirectional Thyristor(15A，800V敏感門三端雙向可控硅晶閘管)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MAC15MG 功能描述:雙向可控硅 THY FP 15A 600V TRI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
MAC15N 功能描述:雙向可控硅 THY FP 15A 800V TRI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
MAC15NG 功能描述:雙向可控硅 THY FP 15A 800V TRI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
MAC15S 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC15SD 功能描述:雙向可控硅 THY FP 15A 400V TRI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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