參數(shù)資料
型號: MA3XD14E
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon epitaxial planar type (cathode common)
中文描述: 0.1 A, 20 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 44K
代理商: MA3XD14E
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3XD14E
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
For high-speed switching circuits
I
Features
Mini type 3-pin package
Low forward rise voltage V
F
(V
F
<
0.4 V)
Cathode common type
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
20
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
20
V
Non-repetitive peak forward
surge current
*2
I
FSM
1
A
Forward current
(DC)
Single
Double
*1
I
F
100
mA
70
Peak forward
current
Single
Double
*1
I
FM
300
mA
200
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
R
= 10 V
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
I
F
= I
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
20
μ
A
Forward voltage (DC)
0.27
V
V
F2
C
t
0.40
V
Terminal capacitance
25
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
3.0
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Note) *1: The value for operating one chip
*2: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
Internal Connection
Marking Symbol: M5H
1 : Anode 1
2 : Anode 2
3 : Cathode 1
Cathode 2
Mini Type Package (3-pin)
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
2
3
2.8
+
0.2
0.3
1.5
+
0.25
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
2
+
0
0
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