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參數(shù)資料
| 型號： | MA3XD17 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | MA3XD17 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3XD17
Silicon epitaxial planar type
For rectification
For protection against reverse current
I
Features
Mini type 3-pin package
High breakdown voltage V
R
= 100 V
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
100
V
Peak reverse voltage
100
V
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
1.5
A
Average forward current
I
F(AV)
300
mA
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 100 V
I
F
= 300 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
200
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
0.50
0.58
V
Terminal capacitance
100
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
7
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
1. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
Internal Connection
Marking Symbol: M5K
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
Mini Type Package (3-pin)
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
3
2
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
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