參數(shù)資料
型號(hào)： MA3X717
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： SILICON, L BAND, MIXER DIODE, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： MA3X717
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X717
(MA717)
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: January 2002
SKH00077BED
For switching
For wave detection
I
Features
Low forward voltage V
F
, optimum for low voltage rectification
Low V
F
type of MA3X704A (MA704A)
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Mini type 3-pin package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
I
FM
30
V
Peak forward current
150
mA
Forward current (DC)
I
F
T
j
T
stg
30
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Internal Connection
Marking Symbol: M2M
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
30 V
I
F
=
1 mA
I
F
=
30 mA
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
10 mA
I
rr
=
1 mA, R
L
=
100
V
in
=
3 V
(peak)
, f
=
30 MHz
R
L
=
3.9 k
, C
L
=
10 pF
30
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F1
V
F2
C
t
t
rr
0.3
V
1.0
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
1.0
ns
Detection efficiency
η
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
1
2
3
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Unit: mm
0.40
+0.10
(
1
+
–
2
+
–
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
0.16
+0.10
0
±
0
5
10
0
1
+
–
1
+
–
1: Anode
2: N.C.
3: Cathode
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 GHz
3.*: t
rr
measuring instrument
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA717 Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X721D Silicon epitaxial planar type
MA3X721E Silicon epitaxial planar type
MA3X748 Silicon epitaxial planar type
MA3X786D Silicon epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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