參數(shù)資料
型號(hào)： MA3J7410G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 224K
代理商： MA3J7410G
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00194AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA3J7410G
Silicon epitaxial planar type
For high speed switching
For wave detection
■ Features
Mini type of MA3X704A
Low forward voltage V
F and good wave detection efficiency η
Small temperature coefficient of forward characteristic
Small reverse current I
R
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
30
V
Forward current
IF
30
mA
Peak forward current
IFM
150
mA
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF
= 1 mA
0.4
V
VF2
IF = 30 mA
1.0
Reverse current
IR
VR = 30 V
300
nA
Terminal capacitance
Ct
VR
= 1 V, f = 1 MHz
1.5
pF
Reverse recovery time *
trr
IF
= I
R
= 10 mA
1.0
ns
Irr = 1 mA, RL = 100
Detection efficiency
η
VIN
= 3 V
(peak) , f = 30 MHz
65
%
RL = 3.9 k, CL = 10 pF
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 10 mA
I
R = 10 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz.
4.*: trr measurement circuit
■ Package
Code
SMini3-F2
Pin Name
1: Anode
2: N.C.
3: Cathode
■ Marking Symbol: M1L
■ Internal Connection
1
2
3
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA3S795EG SILICON, L BAND, MIXER DIODE
MA3SE01 SILICON, L BAND, MIXER DIODE
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MA40045 SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE
MM4E199 SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MA3J7410GL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
MA3J741D 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
MA3J741D0L 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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MA3J741E 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
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