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參數(shù)資料
| 型號： | M52S32162A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 1/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-10BG |
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ES MT
Revision History :
Revision 1.0 (Oct. 31, 2006)
- Original
Revision 1.1 (Mar. 02, 2007)
- Modify VOH and VOL
- Delete BGA ball name of packing dimensions
Revision 1.2 (Apr. 27, 2007)
- Rename BGA pin name (BA1 to NC ; BA0 to BA)
- Modify DC Characteristics
Revision 1.3 (May. 14,2007)
- Modify tSS (1.5ns => 2ns) and tSH(1ns => 1.5ns)
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
1/30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M538002 | 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |
| M541 | 262,214-Word x 12-Bit Field Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10BIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ FBGA54 |
| M52S32162A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-10TIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S32162A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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