參數(shù)資料
型號(hào)： M52S32162A-10TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 1/30頁(yè)
文件大?。?/td> 787K
代理商： M52S32162A-10TG
ES MT
Revision History :
Revision 1.0 (Oct. 31, 2006)
- Original
Revision 1.1 (Mar. 02, 2007)
- Modify VOH and VOL
- Delete BGA ball name of packing dimensions
Revision 1.2 (Apr. 27, 2007)
- Rename BGA pin name (BA1 to NC ; BA0 to BA)
- Modify DC Characteristics
Revision 1.3 (May. 14,2007)
- Modify tSS (1.5ns => 2ns) and tSH(1ns => 1.5ns)
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
1/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52S32162A-7.5BG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A-7.5TG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M538002 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM
M541 262,214-Word x 12-Bit Field Memory
M541 TO-220F 5A Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M52S32162A-10TIG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ TSOPII54
M52S32162A-6BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S32162A-6TG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S32162A-7.5BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S32162A-7.5BIG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 133MHZ FBGA54
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