參數(shù)資料
型號: M485L1624FU0-CB0
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: DDR SDRAM SODIMM
中文描述: 的DDR SDRAM SODIMM
文件頁數(shù): 12/20頁
文件大?。?/td> 264K
代理商: M485L1624FU0-CB0
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
AC Timming Parameters & Specifications
Revision 1.2 Oct. 2004
Parameter
Symbol
B3
(DDR333@CL=2.5))
Min
A2
(DDR266@CL=2.0)
Min
B0
(DDR266@CL=2.5))
Min
Unit
Note
Max
Max
Max
Row cycle time
tRC
60
65
65
ns
Refresh row cycle time
tRFC
72
75
75
ns
Row active time
tRAS
42
70K
45
120K
45
120K
ns
RAS to CAS delay
tRCD
18
20
20
ns
Row precharge time
tRP
18
20
20
ns
Row active to Row active delay
tRRD
12
15
15
ns
Write recovery time
tWR
15
15
15
ns
Last data in to Read command
tWTR
1
1
1
tCK
Col. address to Col. address delay
tCCD
1
1
1
tCK
Clock cycle time
CL=2.0
tCK
7.5
12
7.5
12
10
12
ns
CL=2.5
6
12
7.5
12
7.5
12
ns
Clock high level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
Clock low level width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
DQS-out access time from CK/CK
tDQSCK
-0.6
+0.6
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
Output data access time from CK/CK
tAC
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
Data strobe edge to ouput data edge
tDQSQ
-
0.45
-
0.5
-
0.5
ns
12
Read Preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Read Postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
CK to valid DQS-in
tDQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
DQS-in setup time
tWPRES
0
0
0
ns
3
DQS-in hold time
tWPRE
0.25
0.25
0.25
tCK
DQS falling edge to CK rising-setup time
tDSS
0.2
0.2
0.2
tCK
DQS falling edge from CK rising-hold time
tDSH
0.2
0.2
0.2
tCK
DQS-in high level width
tDQSH
0.35
0.35
0.35
tCK
DQS-in low level width
tDQSL
0.35
0.35
0.35
tCK
DQS-in cycle time
tDSC
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Address and Control Input setup time(fast)
tIS
0.75
0.9
0.9
ns
i,5.7~9
Address and Control Input hold time(fast)
tIH
0.75
0.9
0.9
ns
i,5.7~9
Address and Control Input setup time(slow)
tIS
0.8
1.0
1.0
ns
i, 6~9
Address and Control Input hold time(slow)
tIH
0.8
1.0
1.0
ns
i, 6~9
Data-out high impedence time from CK/CK
tHZ
+0.7
+0.75
+0.75
ns
1
Data-out low impedence time from CK/CK
tLZ
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
1
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PDF描述
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M470L3224FT0 DDR SDRAM SODIMM
M470L3224FT0-CA2 DDR SDRAM SODIMM
M470L3224FT0-CB0 DDR SDRAM SODIMM
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M487X0005 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機,螺線管 >> 電機 - AC,DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"(176.00mm) 直徑 - 軸:1.38"(35.00mm) 長度 - 軸和支架:3.15"(80.00mm) 安裝孔間距:7.87"(200.00mm) 特點:絕對式編碼器,鍵 端接類型:連接器 轉矩 - 運行(oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率(瓦特):3kW 重量:55 磅(24.9kg) 其它名稱:R88MG3K010TS2
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