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參數(shù)資料
| 型號： | M470L3224FU0-CA2 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Ring Core Bead Ferrite; Impedance:340ohm; Cable Diameter Max:0.203"; Width (Latch Included):1.23"; External Height:1.155"; External Width:1.125"; Length:1.25" |
| 中文描述： | 的DDR SDRAM SODIMM |
| 文件頁數(shù)： | 7/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M470L3224FU0-CA2 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
Revision 1.2 Oct. 2004
128MB, 16M x 72 ECC Module (M485L1624FU0)
(Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D4
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D4
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D4
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D4
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D4
WE
WE: SDRAMs D0 - D4
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D4
D0 - D4
V
DD
/V
DDQ
D0 - D4
D0 - D4
VREF
V
DDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
2 SDRAMs
2 SDRAMs
1 SDRAMs
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
D0
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DM0
CS
LDQS
DQS0
DM1
DQS1
CS0
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
D2
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DM4
CS
LDQS
DQS4
DM5
DQS5
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
D1
I/O 7
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DM2
CS
LDQS
DQS2
DM3
DQS3
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
D3
I/O 7
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ57
DQ58
DQ58
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DM6
CS
LDQS
DQS6
DM7
DQS7
CK0/1/2
Card
Edge
D0/D2/D4
Cap/Cap/Cap
Cap/Cap/Cap
±
5%
D1/D3/Cap
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 6
D4
I/O 7
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DM8
CS
DQS
DQS8
Functional Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FU0-CA2 | Ring Core Bead Ferrite; Impedance:200ohm; Cable Diameter Max:0.35"; Latch Height:0.2"; Width (Latch Included):0.885"; External Height:0.79"; External Width:0.77"; Length:1.45" |
| M470L1624FU0-CB0 | Split Core Ferrite Bead; Inner Diameter:0.45"; Package/Case:Split Ferrite Core; External Width:0.93"; Frequency:100MHz; Impedance:238ohm; Latch Height:0.38"; Mounting Type:Surface Mount; Width (Latch Included):1.035" RoHS Compliant: Yes |
| M470L3224FU0-CB0 | DDR SDRAM SODIMM |
| M470L1624FU0-CB3 | DDR SDRAM SODIMM |
| M470L3224FU0-CB3 | DDR SDRAM SODIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M470L3224FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M470L3224FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M470L3224HU0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M470L3224JU0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M470L3324BT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
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