參數(shù)資料
型號: M383L2828ET1
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: DDR SDRAM Registered Module
中文描述: DDR SDRAM的注冊模塊
文件頁數(shù): 7/23頁
文件大?。?/td> 448K
代理商: M383L2828ET1
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision 1.4 February, 2004
512MB, 64M x 72 ECC Module (M383(12)L6420ETS)
(Populated as 1 bank of x4 DDR SDRAM Module)
DQ0
DQS0
DQ8
DQS9
(DM0)
DQ16
DQS11
(DM2)
DQ24
DQ25
DQ26
DQS12
(DM3)
DQ32
DQS13
(DM4)
DQ40
DQS14
(DM5)
DQ48
DQ50
DQ56
DQS16
(DM7)
RCS0
DQS4
DQS1
DQS5
DQS2
DQS3
DQS15
(DM6)
DQS6
DQS7
CB0
DQS8
DQS17
(DM8)
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM resistors: 22 Ohms.
RAS
CAS
CKE0
BA0-BA1
A0-A12
CS0
RCS0_2
RBA0 - RBA1
RA0 - RA12
RRAS
RCAS
RCKE0A
RCKE0B
RCS0_1
RWE
BA0 -BA1 : SDRAMs DQ0 - D17
A0 -A12 : SDRAMs D0 - D17
RAS : SDRAMs D0 - D17
CAS : SDRAMs DQ0 - D17
CKE : SDRAMs D0 - D8
CKE : SDRAMs D9 - D17
WE: SDRAMs D0 - D17
R
E
G
I
S
T
E
R
DQS
I/O 3
D8
CS DM
DQS
I/O 3
D0
CS DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D1
CS DM
DQS
I/O 3
D2
CS DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D3
CS DM
DQS
I/O 3
D4
CS DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D5
CS DM
DQS
I/O 3
D6
CS DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D7
CS DM
VSS
DQS
I/O 3
D17
CS
DM
DQS
I/O 3
D9
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D10
CS
DM
DQS
I/O 3
D11
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D12
CS
DM
DQS
I/O 3
D13
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D14
CS
DM
DQS
I/O 3
D15
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 0
D16
CS
DM
DQS10
(DM1)
RESET
PCK
PCK
WE
PLL*
CK0,CK0
* Wire per Clock Loading table/wiring Diagrams
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D17
D0 - D17
V
DD
/V
DDQ
D0 - D17
D0 - D17
VREF
Strap: see Note 4
V
DDSPD
SPD
Functional Block Diagram
DQ4
DQ12
DQ20
DQ28
DQ36
DQ44
DQ46
DQ52
CB4
DQ60
DQ61
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