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參數(shù)資料
| 型號： | M381L5623MTM-CA2 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 250K |
| 代理商： | M381L5623MTM-CA2 |
Preliminary
DDR SDRAM
2GB Unbuffered DIMM
Rev. 0.0 April 2004
2GB, 256M x 64 Non ECC Module (M368L5623MTN)
(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
CS0
DQS0
DM0
DM/
CS
DQS
DQ0
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
D0
DQS1
DM1
DM/
CS
DQS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ12
DQ13
DQ15
D1
DQS2
DM2
DM/
CS
DQS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ20
DQ22
DQ23
D2
DQS3
DM3
DM/
CS
DQS
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ30
DQ31
D3
DQS4
DM4
DM/
CS
DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ36
DQ37
DQ39
D4
DQS5
DM5
DM/
CS
DQS
DQ40
DQ42
DQ43
DQ45
DQ46
D5
DQS6
DM6
DM/
CS
DQS
DQ48
DQ50
DQ51
DQ53
DQ54
D6
DQS7
DM/
CS
DQS
DQ56
DQ57
DQ59
DQ60
DQ62
DQ63
D7
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 5
I/O 4
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 0
I/O 5
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 1
I/O 5
I/O 4
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 0
I/O 5
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 5
I/O 4
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 0
I/O 5
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 1
I/O 5
I/O 4
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 0
I/O 5
I/O 3
I/O 2
DM/
CS
DQS
D8
DM/
CS
DQS
D9
DM/
CS
DQS
D10
DM/
CS
DQS
D11
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 2
I/O 3
I/O 5
DM/
CS
DQS
D12
DM/
CS
DQS
D13
DM/
CS
DQS
D14
DM/
CS
DQS
D15
CS1
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 3
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 7
I/O 2
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 7
I/O 2
I/O 4
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 7
I/O 2
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 7
I/O 2
I/O 4
A0 - A13
A0-A13: DDR SDRAMs D0 - D15
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D15
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D15
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D15
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15
V
SS
D0 - D15
V
DD
/V
DDQ
D0 - D15
D0 - D15
VREF
V
DDSPD
SPD
D0 - D15
*Clock Net Wiring
* Clock Wiring
Clock
Input
DDR SDRAMs
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
4 DDR SDRAMs
6 DDR SDRAMs
6 DDR SDRAMs
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
Card
Edge
D3/D0/D5
D11/D8/D13
Cap/D1/D6
*
Cap/D9/D14
D4/D2/D7
D12/D10/D15
R=120
CK0/1/2
*
CKE 0/1
CKE : DDR SDRAMs D0 - D15
CK0/1/2
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3 Ohms +
5%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M381L5623MTM-CB0 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M381L5623MTM-CB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M381L5623MTN | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M38207M8-051 | 1 watt dc-dc converters |
| M38207M8-107HP | 1 watt dc-dc converters |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M381L6423ETM-CA200 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256 DDR SDRAM MODUL X72 TSOP2-400 - Trays |
| M3820 | 功能描述:電纜固定件和配件 LTRSCG 875 BLACK RoHS:否 制造商:Heyco 類型:Cable Grips, Liquid Tight 材料:Nylon 顏色:Black 安裝方法:Cable 最大光束直徑:11.4 mm 抗拉強(qiáng)度: |
| M38203 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
| M38203E4 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M38203E4FP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
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