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參數資料
| 型號： | M38039M6-XXXSP |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL(TM) Architecture; Architecture: NoBL, Pipeline; Density: 18 Mb; Organization: 512Kb x 36; Vcc (V): 3.1 to 3.6 V |
| 中文描述： | 單芯片8位CMOS微機 |
| 文件頁數： | 108/119頁 |
| 文件大?。?/td> | 1575K |
| 代理商： | M38039M6-XXXSP |
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Rev.1.00
REJ03B0212-0100
Apr 2, 2007
Page 108 of 117
3803 Group (Spec.L)
Table 22 Electrical characteristics (3) (Flash memory version)
(V
CC
= 2.7 to 5.5 V, Ta = –20 to 85 °C, f(X
CIN
)=32.768 kHz (Stopped in middle-speed mode),
Output transistors “off”, AD converter not operated)
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
5.5
4.5
3.5
2.2
2.2
2.7
1.8
1.1
3.0
2.4
2.0
2.1
1.7
1.5
1.3
410
4.5
400
3.7
0.55
0.75
1000
Unit
Min.
Max.
8.3
6.8
5.3
3.3
3.3
4.1
2.7
1.7
4.5
3.6
3.0
3.2
2.6
2.3
2.0
630
6.8
600
5.6
3.0
I
CC
Power source
current
High-speed
mode
V
CC
= 5.0 V
f(X
IN
) = 16.8 MHz
f(X
IN
) = 12.5 MHz
f(X
IN
) = 8.4 MHz
f(X
IN
) = 4.2 MHz
f(X
IN
) = 16.8 MHz (in WIT state)
f(X
IN
) = 8.4 MHz
f(X
IN
) = 4.2 MHz
f(X
IN
) = 2.1 MHz
f(X
IN
) = 16.8 MHz
f(X
IN
) = 12.5 MHz
f(X
IN
) = 8.4 MHz
f(X
IN
) = 16.8 MHz (in WIT state)
f(X
IN
) = 12.5 MHz
f(X
IN
) = 8.4 MHz
f(X
IN
) = 6.3 MHz
f(X
IN
) = stopped
In WIT state
f(X
IN
) = stopped
In WIT state
Ta = 25
°
C
Ta = 85
°
C
f(X
IN
) = 16.8 MHz, V
CC
= 5.0 V
In Middle-, high-speed mode
mA
V
CC
= 3.0 V
mA
Middle-speed
mode
V
CC
= 5.0 V
mA
V
CC
= 3.0 V
mA
Low-speed
mode
V
CC
= 5.0 V
μ
A
V
CC
= 3.0 V
μ
A
In STP state
(All oscillation stopped)
μ
A
Increment when A/D
conversion is executed
μ
A
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