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參數(shù)資料
| 型號： | M378T6453FZ0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| 中文描述： | 無緩沖DDR2的內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | M378T6453FZ0 |
Rev. 1.3 Aug. 2005
256MB, 512MB Unbuffered DIMMs
DDR2 SDRAM
S0
DQS0
DQS0
DM0
DM
CS
DQS DQS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D0
DQS1
DQS1
DM1
DM
CS
DQS DQS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D1
DQS2
DQS2
DM2
DM
CS
DQS DQS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D2
DQS3
DQS3
DM3
DM
NU/
CS
DQS DQS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D3
DQS4
DQS4
DM4
DM
CS
DQS DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D4
DQS5
DQS5
DM5
DM
CS
DQS DQS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D5
DQS6
DQS6
DM6
DM
CS
DQS DQS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D6
DQS7
DQS7
DM7
DM
CS
DQS DQS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D7
Notes :
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms
±
5%.
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 5.1 Ohms
±
5%.
Functional Block Diagram: 256MB, 32Mx64 Module
(Populated as 1 rank of x8 DDR2 SDRAMs)
M378T3253FG(Z)3 / M378T3253FG(Z)0
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
*Wire per Clock Loading
Table/Wiring Diagrams
* Clock Wiring
Clock Input
DDR2 SDRAMs
*CK0/
CK0
*CK1/
CK1
*CK2/
CK2
2 DDR2 SDRAMs
3 DDR2 SDRAMs
3 DDR2 SDRAMs
V
SS
D0 - D7
V
DD
/V
DDQ
D0 - D7
D0 - D7
VREF
V
DDSPD
Serial PD
A0 - A12
A0-A12 : DDR2 SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D7
WE
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D7
ODT0
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M378T3253FZ0-CE6 | DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M39006 | Wet Tantalum Capacitors, Military Established Reliability, MIL-PRF-39006 Qualified Styles CLR65, 69, 79, 81, 90, 91 |
| M39006220660 | Wet Tantalum Capacitors, Military Established Reliability, MIL-PRF-39006 Qualified Styles CLR65, 69, 79, 81, 90, 91 |
| M390S2858CTU | PC133/PC100 Low Profile Registered DIMM |
| M390S2858ETU | 168pin Registered Module based on 256Mb E-die with 72-bit ECC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M378T6453FZ0-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T6453FZ0-CD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T6453FZ0-CE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T6453FZ3-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T6453FZ3-CD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
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