參數(shù)資料
型號: M368L2923BUN-CB3
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: Flash Memory IC; Memory Size:4Mbit; Supply Voltage Max:3V; Package/Case:48-FBGA; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Access Time, Tacc:90ns; Series:S29AL
中文描述: DDR SDRAM的緩沖模塊184pin緩沖模塊基于512Mb乙芯片與64/72-bit非ECC / ECC的66 TSOP-II
文件頁數(shù): 2/25頁
文件大小: 463K
代理商: M368L2923BUN-CB3
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM
Rev. 0.1 June 2005
(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
6.5 1GB, 128M x 72 ECC Module (M381L2923DUM)
CS0
DQS0
DM0
DM/
CS
DQS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
D0
DQS1
DM1
DM/
CS
DQS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
D1
DQS2
DM2
DM/
CS
DQS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
D2
DQS3
DM3
DM/
CS
DQS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
D3
DQS4
DM4
DM/
CS
DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
D4
DQS5
DM5
DM/
CS
DQS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
D5
DQS6
DM6
DM/
CS
DQS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
D6
DQS7
DM7
DM/
CS
DQS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
D7
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM/
CS
DQS
D9
DM/
CS
DQS
D10
DM/
CS
DQS
D11
DM/
CS
DQS
D12
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM/
CS
DQS
D13
DM/
CS
DQS
D14
DM/
CS
DQS
D15
DM/
CS
DQS
D16
CS1
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D17
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D17
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D17
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D17
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D17
VSS
D0 - D17
VDD/VDDQ
D0 - D17
VREF
VDDSPD
SPD
D0 - D17
*Clock Net Wiring
* Clock Wiring
Clock
Input
DDR SDRAMs
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
6 DDR SDRAMs
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
Card
Edge
D3/D0/D5
D12/D9/D14
D8/D1/D6
D17/D10/D15
D4/D2/D7
D13/D11/D16
R=120
CK0/1/2
CKE0/1
CKE : DDR SDRAMs D0 - D17
DQS8
DM8
DM/
CS
DQS
D8
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM/
CS
DQS
D17
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors:3 Ohms +
5%
相關PDF資料
PDF描述
M368L6523BTN-CB0 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
M36LLR8860B1ZAQT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88
M374S6553BTS-C7A SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 62/72-bit Non ECC/ECC
M38002E2SP 1 watt dc-dc converters
M38021E1-256FP 1 watt dc-dc converters
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M368L2923BUN-LB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II
M368L2923CUN-CLCC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L2923DUN 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide
M368L2923DUN-CB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
M368L2923DUN-CCC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)